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一种采用高碘值活性炭制备低汞催化剂的方法

大C
411 2021-01-19

本发明提供一种采用高碘值活性炭制备低汞催化剂的方法，包括活性炭的处理、气相吸附 ;所述气相吸附，将高纯度氯化汞进行加热气化，气相的氯化汞进入到装有活性炭的吸附床中，控制压力为 0.6MPa，温度为 540°C，流速为 1000m3/h ;本发明的有益效果为 :本发明制备的低汞催化剂，以重量百分比计，其中含氯化汞 4.07%、氯化锌 3%、氯化锰 2%、二氯四氨钯 2%、四丁基氯化铵 1%、四硝基铂酸钾 1% 水 0.16%，机械强度 99.1%，粒度 3 ~ 6mm(99.3%)，堆积密度 485g/l，氯化汞烧失率 0.28% ;本发明催化剂，常温下，无汞升华现象 ; 催化活性高，催化剂单耗低，催化剂使用寿命长，用量少。
多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法

大C
432 2021-01-19

本发明涉及一种多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法，具体步骤如下 :a. 多晶碘化汞厚膜的生长，b. 多晶碘化汞厚膜表面的处理，c. 电极材料的制备，d. 电极的热蒸发制备工艺。本发明工艺简单，易于操作，电极掩模板图形可变，可大面积探测器电极的制备。通过本电极制备方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X 射线像素明显等优点。
一种生长碘化汞单晶体的立式炉

大C
279 2021-01-19

本发明涉及一种多晶碘化汞探测器金钯材料电极制备方法，具体步骤如下 :a. 多晶碘化汞厚膜的生长，b. 多晶碘化汞厚膜表面的处理，c. 电极材料的制备，d. 电极的热蒸发制备工艺。本发明工艺简单，易于操作，电极掩模板图形可变，可大面积探测器电极的制备。通过本电极制备方法制得的多晶碘化汞厚膜探测器具有漏电流小，探测效率高，X 射线像素明显等优点。
一种生长碘化汞单晶体的立式炉及该晶体的生长方法

大C
331 2021-01-19

本发明涉及碘化汞(a-Hg2)单晶体生长技术领域,具体指一种生长碘化汞(Hg2)单晶体立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法。本发明为解决现有技术存在的温控系统复杂、生产成本高、需要籽晶及加工造成的单晶体损伤较大的问题,现采用的技术方案是:一种生长碘化汞单晶体的立式炉及其用该立式炉生长碘化汞单晶体的方法,在炉体底板上依次套设筒状的石英真空保温层和炉膛,并用隔热圈将炉膛与石英真空保温层之间的柱状腔体分隔成上腔体和下腔体,在上下腔体内内分别设置加热装置,炉膛内设置生长安瓿,炉体底板外部设置调整机构。
一种汞离子直接氧化碘离子的方法

大C
290 2021-01-19

本发明属于化学化工技术领域,具体涉及一种汞离子直接氧化碘离子的方法。本发明的方法是将根导线的两端各连接一个石墨电极,把两个石墨电极分别插入两个容器中,同时在两个容器之间装上一个盐桥;在两个容器中分别倒入配制好的KI溶液和Hg(NO3)2溶液;KⅠ溶液由无色逐渐变成浅黄色,且随着时间的延长,颜色逐渐加深,容器中有碘生成;Hg(NO3)2溶液的颜色没有变化,但插在Hg(NO3)2溶液中的石墨电极逐渐变亮,这种亮物即是生成的金属汞。本发明的方法有效地解决了Hg2+直接氧化I的问题,能更好地为科研、教学生产和生活提供帮助,并且设备简单,操作方便,药品易得,现象明显。
碘化汞单晶体的生长装置

大C
185 2021-01-19

本实用新型是一种制备碘化汞单晶体的装置,由安瓿,加热器和温度控制器组成,并用钟罩将安瓿和加热器罩在平台上构成一个立式炉.安瓿支承在一个转轴上,转轴由电动机带动,利用源与晶体之间一定的温差自发成核,并进行晶体生长,从而获得性能优良的室温核辐射探测器晶体.
超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法

大C
267 2021-01-19

本发明涉及一种超声波作用下碘化汞薄膜的制备方法,主要是在超声波作用下的真空蒸发物理气相沉积生长薄膜的方法,它特别是一种χ射线,γ射线探测器用的碘化汞多晶半导体薄膜的制备方法,属半导体薄膜制备工艺技术领域.本发明利用一特殊设计的薄膜生长管体,将碘化汞原料放于管体底部,管体上部为一真空室,真空室顶部有一真空活塞盖,活塞盖侧部开有抽气口,通过该抽气口和真空抽气系统进行抽真空,使真空室内保持真空状态,真空度要求达到1.5～6.0×10-3Pa;薄膜生长管体放置在一设有超声波发生装置的水浴加热容器中,水浴温度为70～90℃,超声波发生装置的频率为40或59KHZ;在该条件下进行气相沉积生长薄膜过程,最终在衬底基片上获得柱状晶粒的碘化汞多晶半导体薄膜.
HgI_2-HI-H_2O溶液中静电场诱导的α-碘化汞晶体生长

大C
345 2021-01-19

在HgI2-HI-H2O溶液体系中，采用静电场诱导技术生长了HgI2晶体。利用紫外-可见光谱分析了溶液中分子/离子的存在形式;通过改变电场强度和溶液浓度等因素，得到了不同形貌的HgI晶体。结果表明，HgI-HI-HO溶液中存在[HgI]-，[HgI]2-和22234HgI2等3种主要成分。静电场诱导离子发生定向迁移，形成取向性生长的晶体，晶体形貌受电场诱导和结构因素(分子键力)共同制约。溶质(负离子)向正极迁移，形成颗粒度大的HgI2晶体;负极主要是由中性HgI2键合并相变形成的小颗粒HgI2晶体。分析认为，HgI2-HI-H2O溶液中负离子可以成为晶体生长的基本单元。
HgCl_2-KI-H_2O溶液体系中碘化汞(α-HgI_2)籽晶层生长研究

大C
401 2021-01-18

为提高气相沉积碘化汞((1-HgI)多晶薄膜定向生长效果，研究了HgC1和KI溶液化舍反应法制备用于同质外延的HgI。籽晶层的生长工艺.建立了HgCI2/KI一1:1~1:6(摩尔比)的反应体系，通过改变体系中碘离子([I]一)浓度，研究了液相体系的反应过程.通过紫外一可见分光光度计研究了反应体系中组元转变特征，采用偏光显微镜分析了不同浓度下晶体结晶形貌和分布特征.
碘化活性炭吸附和预富集水体汞的方法

大C
302 2021-01-18

化学处理活性炭对汞等重金属离子具有良好的吸附特性。通过一系列测试获得了碘化和氯化活性炭预富集水体汞的优化方案。对实验室配制汞标准样品的测试表明，碘化和氯化活性炭对汞具有良好的吸附特性，而采样管的内径、活性炭的填充量以及过滤流速均影响活性炭预富集水体汞的效率。采用600mg的碘化活性炭采样管(内径:0.35cm)，在水体过滤流速为10r/min(7mL/min)~25r/min(17mL/min)的条件下，碘化活性炭对水体汞的吸附效率可达到95%以上。增加流速和采样管内径以及减少活性炭填充量均会降低活性炭对水体汞的吸附效率。

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