北方伟业计量集团有限公司
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2021-01-17
汽相生长碘化汞户单晶体中,关键是成核。而影响成核的因素较多,难于控制。一般的成核温度范围为℃。我们采用的成核温度为℃左右。实验中发现,在其他条件不变的情况下,原料在安瓶中侧壁上聚集的高度和形状对其温度的分布和饱和蒸汽压有影响,从而影响到晶核的形成。
单晶生长中,采用小,底部中心有一个小基座的玻璃生长安瓶。纯化的原料装入安瓶后,抽空至封结。生长时先使安瓶底部温度高于其侧面温度,让原料蒸发到安瓶壁上稳定配置。然后逐渐降低安瓶底部温度,使侧壁源处的温度高于底部基座中心的温度。。保持源和基座中心有一定的温度梯度约一℃,进行成核。我们发现,在其他的条件不变的情况下,如果原料聚集在安瓶中侧壁上的位置较高约距底部时,要在基座上形成一个红色一晶核很困难,而易形成多个晶核,且常伴随有黄色卜晶核出现,如果原料聚集在安瓶中侧壁上的位置合适距底部约一时,易形成一个红色一晶核,能顺利长成大单晶,且重复性好。
这说明原料在生长安瓶中侧壁上配置的高度对其成核有明显的影响。经测试温度表明,原料在安瓶内侧壁上所聚集的高度不伺,安靓内温度分布曲线的形状明显不同,提供成核的驱动力不同,因而在基座上成核的相和几率不同。所以在单晶体的生长成核过程中,正确调节原料在生长安瓶中侧壁上的位置对在基座上形成一个一晶核,获得大单晶体有重要作用.
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