1,割备化汞单晶体的装量,由安甑11加热器1、2、3和温度控制器5、6、7组成,用外军12将安甑和加为器罩在平台8上,形成一个立式炉,安底部有一个基座,支承在转物4上,由动力机带动轴和安部转动,其特征在于安甑支承在一个导热良好的金属转轴上,利用转物传导热量逐渐降涅,自发威核。

2.根据权利妟求1所说的装量,其特征在于安甑支承在一个顶端带有铜的金属转轴上。

3.根据权利求1所说的装量,其特征在于钟罩内的加热器分别设量在安甑的顶部、底部和两割,并且各与一台涅度控制器相连。

碘化汞单晶体的生长装量

本实用新型涉及馆用汽相法生长的单晶体,特别是作为x射线,γ射线探测器的碘化汞单晶体的生长装置。碘化汞(Hgl2)单晶体是Ⅱ-?族化合物半导体,常温下呈红色透明的四方晶系晶体。对x射线、Y射线有较好的阻止本领和极高的灵敏度,是目前制作室温半导体辐射探测器的极好材料。

碘化汞单晶体的生长法有:溶液法,是将碘化汞原料溶入有机溶剂并置于玻璃容器中进行晶体生长;静态和动态升华法将原料封于细长的玻璃管内,量于区域炉中进行生长。上述方法都不能长出大晶体,且晶体质量低。 76年M, Schieber?等人在Vapor Growth of Hgi2oy periodie source or crystal Tenperature oscillation(Jcrystal fr-oWth33(1976)125-133)一文中报导了汽相温度振荡法(T0M)生长碘化汞单晶体及其该方法所使用的装量。

该装量由玻璃安甑、加热器和温度控制器以及恒祖气流系统组成。加热器是由罩在安周围的纵向加热器和安甑底部的横向加热器组成,并分别用温度控制器调节和控制,安甑底部有一个基座,支承在一个转轴上,由电动机带动轴和安甑转动。轴内设有帯喷嘱的汽流管,与气流管相连一个包括有气源、气控制器和预热恒温等设施的恒温气流系统。该气系周期性地通气,神击安甑底部中心,产生周期的温度振荡,以满足晶体威核和生长所需的温度梯度及涅度振荡参数。但是,利用该装置生长碘化汞单晶体还存在以下缺点: