1、一种生长碘化汞单晶体的立式炉,包括炉体底板,在炉体底板上设置筒状的石英真空保温层和炉膛,炉膛套设于石英真空保温层的内部,炉膛与石英真空保温层之间的柱状腔体中部设置有隔热圈,柱状腔体被隔热圈分隔出的上腔体和下腔体上腔体和下腔体内分别设置有两套加热器,炉膛和上腔体的上部设置有密封盖;所述炉体底板中心活动穿设有金属支杆,金属支杆位于炉膛内的一端上设置有生长安瓿生长安瓿的选晶端位于下部,生长安瓿的两端外侧设置有热电偶金属支杆位于炉体底板外侧的一端设置有调整机构,该调整机构包括旋转组件和升降组件。

2、如权利要求1所述的一种生长碘化汞单晶体的立式炉,其特征在于:所加热器是电阻丝。

3、如权利要求1或2所述的一种生长碘化汞单晶体的立式炉,其特征在于所述炉膛内设置有生长安瓿(11)的导向机构。

4、一种使用权利要求所述的生长碘化汞单晶体的立式炉的方法,包括如下步骤(1)准备工作:将高纯碘化汞多晶粉体置入生长安瓿中,抽真空并封管,在卧式炉中进行赶料,使原料置于原料区(2)原料的固定:将金属支通过升降装置升至安装部位,生长安瓿的选晶端朝下固定于金属支杆上,通过金属支调整生长安瓿的位置;开启温度控制系统,温度控制系统启动下腔内的加热器,至长晶区温度为100~120℃时开始保温4-6小时驱赶可能滑落的原料;(3)长晶:启动上腔体内的加热器和温度控制系统，升温并调整温度到T原=118~120℃、T长=100~104℃,开启调整机构中的旋转组件驱动金属支转动,使生长安瓿以1-5转/分钟的转速匀速旋转,原料缓慢沉积到生长安瓿长晶区(4)成品:经过约30天后,获得06-1cm3的碘化汞单晶体。